发布时间:2023-06-06浏览量:2414
※超低功耗SPAD Array(60mW),采用先进3D堆叠式结构,极大的缩小了芯片面积,从而改善性能、节省功耗,为终端用户创造更大价值。
※ 拥有最新背照式BSI SPAD 传感器技术与深隔离槽DTI工艺, 相较于传统FSI技术提升近7倍的探测效率。
※ 光飞行时间探测性能优化升级,实现实时飞行时间记录,大幅度解决了因环境光造成的光子堆积问题。
业界领先的dToF芯片设计公司芯视界微电子近期宣布推出Global shutter BSI SPAD芯片——全新堆叠式dToF深度传感器VA6320。该传感器尺寸小巧,支持1200点分辨率, 60fps帧率,为摄影、AR/VR等应用设备提供低成本、高性能的解决方案。
近年来,智能手机、AR/VR等设备
在电子消费领域广受追捧
尤其是作为“元宇宙”入口的AR/VR
也因“元宇宙”的飞速发展冲上高速
作为光学传感器芯片领导者
芯视界为移动、AR/VR领域
打造全新堆叠式dToF深度传感器VA6320
以实现更高性能的距离传感
助力移动、AR/VR等行业快步前行
芯视界-VA6320 VS 苹果-LiDAR Scanner
芯视界微电子芯片研发部首席架构师Ben表示:
与2020年苹果公司发布的LiDAR Scanner的散斑技术不同,VA6320采取了Flash激光照明方案,从成本、体积大小及功耗上评估,VI6320都更胜一筹,并且具备更多样化系统的适配性。VA6320提供1200点的精确深度信息,搭配多传感器融合算法, 可产生足够的稠密点云,为应用设备提供可靠的距离传感。
全方位性能升级
先进
※ VA6320采用业界先进的3D堆栈式结构, 透过晶圆级Cu-Cu金属混合键,将传感器晶圆与影像处理逻辑晶圆做结合。在减少芯片面积的同时,能针对传感器与逻辑电路不同的特性,采用不同的工艺设计, 做到性能与功耗的整体提升。
创新
※ 采用芯视界最新的背照式BSI SPAD 传感器技术与深隔离槽DTI工艺, 相较于传统FSI技术提升近7倍的探测效率。可提供近红外波段优异的探测性能, 并且降低像素间的光学串连,PDE探测性能优于业界水准。
※ VA6320逻辑部分集成了动态电源管理模块、高效能TDC、DSP运算模块、全局曝光 (global shutter)架构等创新设计。一次性可完成1200点的深度探测,实现高帧率, 短曝光, 低功耗的优异性能。
优化
※ 在光飞行时间探测上, 透过TDC与逻辑模块的优化, 实现实时飞行时间纪录, 大幅度解决了因环境光造成的光子堆积 (Pile-up)问题,具备极强抗阳光性能。
※ 片上集成芯视界 Gen2 DSP 深度信号处理模块, 提升精度与抗环境噪声能力。搭配MIPI接口, 能输出60fps亞毫米级精度的深度点云信息, 同时也提供原帧率下直方图的输出能力, 为后端算法提供更多延展性。
模组说明
关于我们
芯视界微电子科技有限公司成立于2018年,设有南京、上海、硅谷三处研发中心和深圳市场营销中心。芯视界在单光子直接ToF(SPAD ToF)技术和实用性上处于领先地位,是全球率先研究单光子dToF三维成像技术的先驱之一。芯视界以芯片级的光电转换器件设计和单光子检测成像技术,设计营销基于单光子探测的一维和三维ToF传感芯片。产品广泛用于扫地机、无人机、手机、智能眼镜、智能家居等诸多消费类电子领域以及自动驾驶激光雷达等应用。